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北大信科院微电子学与固体电子学考研干货笔记

时间:2022-08-29 访问量:501 来源:管理员

好记性不如烂笔头,用笔记形成对知识点的肌肉记忆,能更好的再答题时将知识转化成笔下内容,对于考研答题很有帮助。盛世清北十年来专注清北硕博辅导,为帮助考生少走弯路,整理如下北大信科院微电子学与固体电子学考研相关资料,以供参考。

真题试题

2018北大半导体物理考题回忆

一、名词解释

受主、雪崩击穿、异质结、费米钉扎(还有两个记不清了,历年真题中可以找到)

二、半导体AB的电导率-温度曲线如下

1.说明AB半导体的类型,并说明原因

2.AB分别产生如下曲线的机制是什么

三、题干给出了两种材料(nEg较窄,pEg较宽)的能带图,画出这两种材料形成异质结后在如下情形的能带图

1.无外加偏压

2.施加反向偏压Va

四、p-mos(n型衬底)中,Wm<WSSIO2层厚度及介电常数已知,< p>

SiO2层中存在以密度为常数ρ的电荷分布

1.写出平带电压表达式

2.画出平带时的能带图

五、PNP型区及N型区均均匀掺杂,浓度为NaNd

1.算出施加正向偏压Vap区边界少子浓度

2.画出正偏时I-V曲线

3. NaNd很小时,I-V曲线与理想曲线有什么区别

六、同时在Si中掺入NaNdNa>Nd

1.写出电荷守恒表达式

2.写出低温区EfT的关系

3.示意在能带图中画出EfT的变化曲线

参考书(仅供参考,可能会随年份变化,可咨询盛世清北老师)

半导体物理学(第7版),刘恩科 、朱秉升 、罗晋生,电子工业出版社,2011-03

考情分析

真题解读:

经近几年的历年真题分析,盛世清北老师得出如下结论:

专业课

题型

分值

备注

824 半导体物理

名词解释

630

总分150分,考试时间180分钟

简答题

230

画图

130

求解题

260

解读:

1、信息科学技术学院微电子学与固体电子学专业课历年考试难度大,考题较为灵活,与社会热点关联更深。同时,也关注考生的知识面。

2、报考北大也需要有扎实的基础,并非通过所谓的押题和划重点就能考上的。

历年分数线

年份

政治

外语

专业课一

专业课二

录取线

拟录取人数

录取最高分/最低分

2021

55

55

90

90

359

4

424/359

2020

55

55

90

90

354

2

364/354

解读:

根据近2年分数线及复试情况,盛世清北老师分析如下:

(1)近两年来,各科目分数线趋于平稳状态,而总分数线存在波动,且2021年分数线最高;意味着难度在逐步增加,应更加重视专业课的复习,要早复习,避免走弯路。

2)两年中,录取最低分354分,最高分424分。也就是说需要考到354-424分才有机会进入复试。

3)录取人数2020年为2人,2021年为4人,录取人数在增加,说明有扩招的可能性,同学们要抓住这个机会。

4)信息科学技术学院微电子学与固体电子学硕士的复试录取比例较大,复试会淘汰一部分,要非常重视复试。

考点梳理(仅供参考,可能会随年份变化,可咨询盛世清北老师)

1、半导体晶体结构和半导体的结合性质;

2、半导体中的电子状态:半导体能带的形成,GeSiGaAs能带结构,有效质量、空穴、杂质和缺陷能级;

3、热平衡下半导体载流子的统计分布:状态密度、费米能级、本征半导体和杂质半导体的载流子浓度,简并半导体和重掺杂效应;

4、半导体的导电性:半导体导电原理,载流子的漂移运动、迁移率、散射机构,半导体电阻率(电导率)随温度和杂质浓度的变化规律,强电场效应、热载流子,负阻效应;

5、非平衡载流子:非平衡载流子与准费米能级,非平衡载流子注入与复合,复合理论,非平衡载流子寿命,爱因斯坦关系,载流子漂移、扩散运动,缺陷效应,连续性方程;

6pn结:平衡与非平衡pn结特点及其能带图,pn结的I-V特性、电容特性、开关特性、击穿特性;

7 金属和半导体接触:半导体表面态,表面电场效应,金属与半导体接触特性、MIS结构电容-电压特性,

8、半导体异质结:异质结的形成机理、能带图;

9、半导体的光学性质及光电效应:半导体的光吸收,半导体光电导,半导体光生伏特效应,半导体发光及半导体激光器;

10、半导体热电、磁电及压阻效应:半导体热传导及热电效应,半导体的霍耳效应,半导体的压阻效应。

健康身体是基础,良好学风是条件,勤奋刻苦是前提,学习方法是关键,心理素质是保证。只有各种因素相结合,才能在考研大军中脱颖而出!

以上就是盛世清北小编整理的“北大信科院微电子学与固体电子学考研干货笔记”相关内容,更多北京大学研究生招生考试相关内容尽在盛世清北-北大考研栏目!愿你考研路上一帆风顺!


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